发明名称 Halbleitersensor und Herstellungsverfahren dafür
摘要 Es ist ein Halbleitersensor offenbart, der ein Halbleitersubstrat (10), einen Erfassungsabschnitt (20, 31, 41), welcher an dem Halbleitersubstrat (10) vorgesehen ist, und ein Kontaktierungselement (25a, 30a, 40a), das mit dem Erfassungsabschnitt (20, 21, 31, 41) elektrisch verbunden und an dem Halbleitersubstrat (10) vorgesehen ist, aufweist. Der Halbleitersensor weist auch eine Verbindungsverdrahtung (200) in elektrischer Verbindung mit dem Kontaktierungselement auf. Des Weiteren weist der Halbleitersensor ein Abdeckelement (100) mit einem Abdeckabschnitt (103) auf, der über dem Halbleitersubstrat (10) angeordnet ist, um den Erfassungsabschnitt (20, 31, 41) abzudecken, so dass der Abdeckabschnitt (103) von dem Erfassungsabschnitt (20, 31, 41) beabstandet getrennt ist. Das Abdeckelement (100) weist ferner einen Verbindungsabschnitt (101) auf, der an dem Halbleitersubstrat (10) an einem Bereich angeordnet ist, welcher das Kontaktierungselement (25a, 30a, 40a) aufweist, und der eine elektrische Verbindung zwischen dem Kontaktierungselement und der Verbindungsverdrahtung durch ihn hindurch ermöglicht.
申请公布号 DE102006031047(A1) 申请公布日期 2007.01.18
申请号 DE20061031047 申请日期 2006.07.05
申请人 DENSO CORP. 发明人 SAKAI, MINEKAZU;ABE, RYUICHIRO;YAMANAKA, AKITOSHI
分类号 B81B1/00;B81C1/00 主分类号 B81B1/00
代理机构 代理人
主权项
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