| 发明名称 |
COMBINED ETCHING AND DOPING MEDIA FOR SILICON DIOXIDE LAYERS AND SUBJACENT SILICON |
| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft einerseits HF/Fluorid-freie Atz- und Dotiermedien, welche sowohl zum Atzen von Siliziumdioxidschichten als auch zum Dotieren darunter liegender Siliziumschichten geeignet sind. Andererseits betrifft die vorliegende Erfindung auch ein Verfahren, in dem diese Medien eingesetzt werden.</p> |
| 申请公布号 |
WO2007006381(A1) |
申请公布日期 |
2007.01.18 |
| 申请号 |
WO2006EP05628 |
申请日期 |
2006.06.13 |
| 申请人 |
MERCK PATENT GMBH;KUEBELBECK, ARMIN;STOCKUM, WERNER |
发明人 |
KUEBELBECK, ARMIN;STOCKUM, WERNER |
| 分类号 |
C03C15/00 |
主分类号 |
C03C15/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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