Halbleiterleistungsmodul mit SiC-Leistungsdioden und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsmodul (1) mit SiC-Leistungdioden (D¶1¶ bis D¶8¶) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dazu weist das Halbleiterleistungsmodul (1) midnestens einen durch Feldeffekt steuerbaren Leistungshalbleiterchip (2) und mehrere ausfallsichere, kleinflächige SiC-Leistungsdioden (D¶1¶ bis D¶8¶) auf. Die Funktion eines ausfallgefährdeten großflächigen SiC-Leistungsdiodenchips wird auf diese kleinflächigen, parallelgeschalteten SiC-Leistungsdiodenchip (D¶1¶ bis D¶8¶) derart verteilt, dass deren Summenfläche aus aktiven SiC-Diodenflächen (F¶1¶ bis F¶8¶) einer flächigen Erstreckung eines großflächigen, nicht ausfallsicheren SiC-Leistungsdiodenchip entspricht.