| 发明名称 | 后侧照光的半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种后侧照光的半导体装置，包括：半导体基底，具有前侧表面与后侧表面；感测元件，位于该半导体装置的前侧表面上；以及反光层，设置于该感测元件之上，设置于该半导体基底之上，其中该反光层具有面对该感测元件的反射面，而该反射面大体对应该感测元件80％的表面，其中该反光层用以反射朝向该后侧表面以及穿透该感测元件的光线。因此，本发明的后侧照光的半导体装置中的反光层可反射照射透过该感测元件区域的光线80％以上，反光层也可反射至少照射于其上的光线30％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1897287A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200610100018.4 | 申请日期 | 2006.06.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许慈轩;伍寿国;杨敦年 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01);H01L31/08(2006.01);H01L31/0216(2006.01);H01L31/0232(2006.01) | 主分类号 | H01L27/144(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种后侧照光的半导体装置，包括：半导体基底，具有前侧表面与后侧表面；感测元件，位于该半导体装置的前侧表面上；以及反光层，设置于该半导体基底之上，其中该反光层具有面对该感测元件的反射面，而该反射面大体对应该感测元件80％的表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||