| 发明名称 | 高压晶体管、半导体晶体管及晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高压晶体管、半导体晶体管及晶体管的制造方法，所述高压晶体管，包括第一主动区域、第二主动区域、第一低掺杂区域、以及第二低掺杂区域。该第一主动区域是设于一基底栅极的一第一侧。该第二主动区域，其是设于该基底的该栅极的一第二侧。该第一低掺杂区域，其是形成于该栅极与该第一主动区域之间。该第二低掺杂区域，其是形成于该栅极与该第二主动区域之间，其长度较该第一掺杂区域明显较长。本发明所述高压晶体管、半导体晶体管，能够承受高电压，且可节省空间并具有更高的制程兼容性。 | ||
| 申请公布号 | CN1897250A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200510076647.3 | 申请日期 | 2005.06.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄建祥 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种高压晶体管，所述高压晶体管包括：一第一主动区域，其是设于一基底栅极的一第一侧；一第二主动区域，其是设于该基底的该栅极的一第二侧；一第一低掺杂区域，其是形成于该栅极与该第一主动区域之间；以及一第二低掺杂区域，其是形成于该栅极与该第二主动区域之间，其长度较该第一掺杂区域明显较长。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||