| 发明名称 | 用于制造用于半导体器件的电容器的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于制造半导体器件中的电容器的方法。本方法包括步骤：在半导体基片上形成下电极；在所述半导体基片的整个表面上形成第一层间电介质层，覆盖所述下电极；选择性地移除所述第一层间电介质层以形成暴露所述下电极的表面的开口；在包括所述开口的所述半导体基片的整个表面之上以连续顺序形成电介质层和导电层；平坦化所述导电层以在所述开口中形成上电极；以及在包括所述上电极的所述半导体基片的整个表面之上形成第二层间电介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN1897222A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200610098799.8 | 申请日期 | 2006.07.14 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件中的电容器的方法，包括步骤：在半导体基片上形成下电极；在所述半导体基片的整个表面上形成第一层间电介质层，覆盖所述下电极；选择性地移除所述第一层间电介质层以形成暴露所述下电极的表面的开口；在包括所述开口的所述半导体基片的整个表面之上以连续顺序形成电介质层和导电层；平坦化所述导电层以在所述开口中形成上电极；以及在包括所述上电极的所述半导体基片的整个表面之上形成第二层间电介质层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||