| 发明名称 | 半导体装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包含：一栅介电层于一基底中的一沟道区上；一栅极于上述栅介电层上；一栅极介电层置于上述栅极的侧缘；以及实质上与上述栅极介电层的侧缘对齐的一源/漏极区。其中上述源/漏极区具有：第一掺杂区与上述栅极部分重叠；第二掺杂区，其与上述沟道区的距离大于该第一掺杂区与上述沟道区的距离；以及第三掺杂区，其与上述沟道区的距离大于上述第二掺杂区与上述沟道区的距离。上述源/漏极区较好为具有与上述栅极间隔物有一既定间隔的外延区。本发明所述半导体装置及其形成方法可降低源/漏极区与沟道区之间的片电阻，并提升漏极饱和电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1897231A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200510131855.9 | 申请日期 | 2005.12.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑水明 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，所述半导体装置的形成方法包含：形成一栅介电层于一基底中的一沟道区上；形成一栅极于该栅介电层上；沿着该栅极的侧缘形成宽度为200～450的一栅极间隔物；以及形成实质上与该栅极间隔物对齐的一源/漏极区，其中该源/漏极区具有：第一掺杂区与该栅极部分重叠；第二掺杂区，其与该沟道区的距离大于该第一掺杂区与该沟道区的距离；以及第三掺杂区，其与该沟道区的距离大于该第二掺杂区与该沟道区的距离。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||