| 发明名称 | 多芯片器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多芯片器件，它包括一些芯片堆叠，每个堆叠包含许多相互叠置的单芯片，其中被叠置的单芯片由一个或几个穿过至少一个单芯片的通过芯片的连线相互电连接，同时衬底提供一个或多个第一接触元件，其中每个第一接触元件与通过芯片的连线之一接触，并提供一个或多个与此第一接触元件电接触的第二接触元件，其中那些芯片堆叠相互叠置，而且芯片堆叠之一的每个第二接触元件安置成与相邻芯片叠置的一个或多个第三接触元件相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1897240A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200610092825.6 | 申请日期 | 2006.06.19 |
| 申请人 | 秦蒙达股份公司 | 发明人 | J·汤马斯;O·舍菲尔德 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L25/065(2006.01);H01L23/488(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;刘华联 |
| 主权项 | 1.一种制造多芯片器件的方法，包括：提供第一多芯片堆叠，它包括至少两个叠置的芯片，所述芯片由通过芯片的连线相互连接并位于第一衬底上；提供第二多芯片堆叠，它包括至少两个堆置的芯片，所述芯片由通过芯片的连线相互连接并位于第二衬底上；第一和第二多芯片堆叠相互叠置而形成多芯片模块。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||