| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：一第一栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上；一第二栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上，该第二栅极结构是邻近于该第一栅极结构；以及一含氮蚀刻停止层，形成于该第一与第二栅极结构上以及该半导体基底上，其中形成于该第一与第二栅极结构上的该含氮蚀刻停止层具有大体相同于形成于该半导体基底上的该含氮蚀刻停止层的一厚度，以改善后续形成于该第一与第二栅极结构间的该含氮蚀刻停止层上的一膜层的步阶覆盖情形。本发明所述半导体结构及其形成方法，可避免由于具非固定厚度的蚀刻停止层而生成孔洞的情形。 | ||
| 申请公布号 | CN1897280A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200610007871.1 | 申请日期 | 2006.02.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志;李资良 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/8232(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：一第一栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上；一第二栅极结构，其侧壁上形成有至少一第二间隔物，位于一半导体基底上，该第二栅极结构是相邻于该第一栅极结构；以及一含氮蚀刻停止层，形成于该第一与第二栅极结构上以及该半导体基底上，其中形成于该第一与第二栅极结构上的该含氮蚀刻停止层具有大体相同于形成于该半导体基底上的该含氮蚀刻停止层的一厚度，以改善后续形成于该第一与第二栅极结构间的该含氮蚀刻停止层上的一膜层的步阶覆盖情形。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||