发明名称 |
高纯纳米晶LaB<SUB>6</SUB>块体材料的原位合成方法 |
摘要 |
一种原位合成高纯纳米晶LaB<SUB>6</SUB>块体材料的制备方法,属于热电子发射阴极材料的制备技术领域。现有技术制备出来的LaB<SUB>6</SUB>材料发射性能差,晶粒粗大,抗弯强度低。本发明方法中,利用氢电弧等离子蒸发设备,以金属镧作为阳极,金属钨作为阴极,在氢气和氩气的混合气氛下,将原料金属镧块制备成颗粒尺寸在20-100纳米之间氢化镧纳米粉末;将该氢化镧纳米粉末放入氩气保护的预处理室,与纳米级的硼粉按La元素和B元素的摩尔比为1∶6配置,研磨均匀后装入石墨模具;将装好粉末的石墨模具放入放电等离子烧结设备中进行烧结。本发明制备的LaB<SUB>6</SUB>块体材料纯度高,平均晶粒度为150nm左右,最大抗弯强度达到249.59MPa,是一种快速原位制备高纯度高性能LaB<SUB>6</SUB>块体材料的方法。 |
申请公布号 |
CN1896001A |
申请公布日期 |
2007.01.17 |
申请号 |
CN200610012297.9 |
申请日期 |
2006.06.16 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
张久兴;曾宏;周身林;刘丹敏;岳明;左铁镛 |
分类号 |
C01B35/04(2006.01) |
主分类号 |
C01B35/04(2006.01) |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
1.一种原位合成高纯纳米晶LaB6块体材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)利用氢电弧等离子蒸发设备,以金属镧作为阳极,金属钨作为阴极,在氢气和氩气的混合气氛下,氢气和氩气体积比在0.2-0.8之间,总压力100-650torr范围,选择电弧电流50-150A,电弧电压20-40V,起弧时间0.5-2小时,将原料镧块制备成氢化镧的纳米粉末;2)将上述的氢化镧纳米粉末放入氩气体保护的预处理室,与纳米级的硼粉按La元素和B元素的摩尔比为1∶6配置粉末,该粉末研磨均匀后装入石墨模具;3)将装好粉末的石墨模具放入放电等离子烧结设备中进行烧结,烧结工艺为:温度为1150-1400℃,压力为30-50MPa,升温速率为80-120℃/min,保温2-10分钟。 |
地址 |
100022北京市朝阳区平乐园100号 |