往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板

摘要

本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。

主权项

1.一种往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，往上面具有非C面的氮化镓基板上，在供给不含Si化合物但含有镓原料、氮原料和必须掺杂的氧的原料气的同时，保住C面以外的一定方位的表面，使氮化镓结晶气相成长，通过该C面以外的面，往结晶中进行氧的掺杂。