多晶硅薄膜的制造方法

摘要

本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法是利用一般多晶硅层形成时表面突起具有不同高度的现象，利用部分高度较高的突起产生晶种，使用于接下来的结晶化步骤中，因此能够使新形成的多晶硅薄膜具有大小均匀且颗粒较大的晶粒，并具有数量与密度较少的突起，进而具有较佳的表面平坦度。

主权项

1.一种多晶硅薄膜的制造方法，其特征是，该方法包含下列步骤：在一基底上形成一第一固态硅层，其中该第一固态硅层上具有不同高度的复数个第一突起，并且该些第一突起的顶端与该基底表面的最大距离为X1，该些第一突起的顶端与该基底表面的最小距离为Y1；对该第一固态硅层进行一流体化步骤，使厚度为Z1的该第一固态硅层部分成为流体，且Y1＜Z1＜X1，其中顶端与该基底表面的距离大于Z1的一部分该些第一突起区域并未完全流体化，而形成复数个硅微粒；以及以该些硅微粒作为晶种，进行一结晶工艺。