一种形成凹槽栅极结构的方法

摘要

本发明提供一种形成凹槽栅极结构的方法，先在一个具有第一氧化层的半导体基上形成一个第一导电层；去除部分的第一导电层与第一氧化层而形成第一栅极结构；于第一栅极结构的侧壁形成有第一间隙壁，再形成一个第二氧化层于半导体基底上；另有一第二导电层形成于所述第二氧化层表面，然后去除第一栅极结构及其上方的第二导电层，以形成一个第二栅极结构；接着在第二栅极结构的侧壁形成有第二间隙壁，以完成凹槽栅极结构的制作过程。本发明方法可减少栅极与源极/漏极延伸区的电容，并减小制作过程难度，增加对制作过程的控制性。

主权项

1、一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，包括：提供一个半导体基底，其上形成一个第一氧化层；在所述第一氧化层上形成一第一导电层；去除部分所述第一氧化层与所述第一导电层，以形成若干个第一栅极结构；在所述若干第一栅极结构的侧壁分别形成第一间隙壁；在所述半导体基底上形成一个第二氧化层；在所述第二氧化层上形成一个第二导电层；去除所述若干第一栅极结构及其上面的所述第二导电层，以形成一个第二栅极结构，所述第二栅极结构是由所述第二导电层、所述第二氧化层及所述若干第一间隙壁所组成；以及形成一个第二间隙壁于该第二栅极结构的侧壁上。