一种薄膜微桥结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜微桥结构的制作方法，其步骤包括：①清洗衬底表面，并进行表面活化；②在衬底表面旋涂一层1-5μm厚的光敏聚酰亚胺薄膜；③对聚酰亚胺薄膜进行光刻处理，形成聚酰亚胺薄膜孤岛和桥墩孔，再进行亚胺化处理；④用金属填充桥墩孔；⑤在聚酰亚胺薄膜孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜，形成复合薄膜层，氧化硅厚度为0.1-1μm，氮化硅厚度0.1-1μm；⑥在上述复合薄膜层上光刻出微桥结构图形，刻蚀该复合薄膜层至聚酰亚胺薄膜层，形成桥面和桥腿图形，并用氧等离子体去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜，形成微桥结构。本发明解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题，并获得了具有较低应力的复合薄膜。

主权项

1、一种薄膜微桥结构的制作方法，其步骤包括：①、清洗衬底表面，并进行表面活化；②、在衬底表面旋涂一层1-5μm厚的光敏聚酰亚胺薄膜；③、对聚酰亚胺薄膜进行光刻处理，形成聚酰亚胺薄膜孤岛和桥墩孔，再进行亚胺化处理；④、用金属填充桥墩孔；⑤、在聚酰亚胺薄膜孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜，形成复合薄膜层，氧化硅厚度为0.1-1μm，氮化硅厚度0.1-1μm；⑥、在上述复合薄膜层上光刻出微桥结构图形，刻蚀该复合薄膜层至聚酰亚胺薄膜层，形成桥面和桥腿图形，并用氧等离子体去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜，形成微桥结构。