| 发明名称 | 具有可变电阻的存储器件、存储电路及半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 第一可变电阻器(5)，连接在第一端子(7)与第三端子(9)之间，该第一可变电阻器(5)的电阻值根据被施加在第一端子(7)与第三端子(9)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。第二可变电阻器(6)，连接在第三端子(9)与第二端子(8)之间，该第二可变电阻器(6)的电阻值根据被施加在第三端子(9)与第二端子(8)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。在第一端子(7)与第三端子(9)之间和第三端子(9)与第二端子(8)之间施加规定脉冲电压，以让第一及第二可变电阻器(5、6)的电阻值可逆地变化，这样来记录一个位或多个位的信息。 | ||
| 申请公布号 | CN1898749A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200480038984.7 | 申请日期 | 2004.10.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 村冈俊作;小佐野浩一;高桥健;下田代雅文 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01);G11C11/34(2006.01);H01L45/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括：第一可变电阻器，连接在第一端子与第三端子之间，具有根据所述第一端子与所述第三端子之间的脉冲电压的极性而变化的电阻，和第二可变电阻器，连接在所述第三端子与第二端子之间，具有根据所述第三端子与所述第二端子之间的脉冲电压的极性而向与所述第一可变电阻器变化的方向相反的方向变化的电阻。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||