铜制金属－绝缘体－金属电容器

摘要

采用铜制技术的平行板电容器形成在下方(在0.3μm之内)无铜的区域中，具有底部阻蚀层(104)，具有TiN层之下的铝层的复合底板(110)，氧化物电容器电介质(120)，和TiN的顶板(130)。制程涉及蚀刻顶板以留下电容器区域，蚀刻底板到在所有侧面具有余量的较大底部区域；在电容器顶板的顶表面之下沉积具有较高材料品质的层间电介质；开凿到顶板和底板，以及到下部互连的触孔，直到两步骤制程，同时穿透该底板之上的氮化物覆盖层，接着切通电容器电介质，并结束氮化物覆盖层的穿透。

主权项

1.一种使用铜互连在集成电路中制作平行板电容器的方法，包含以下步骤：形成该集成电路的器件和下层互连，所述器件和下层互连至少部份由铜形成，其中包含一组顶部下层互连；形成初始电容器堆，电容器堆包含具有第一覆盖厚度的第一覆盖层，置于所述第一覆盖层之上的导电底板层，置于所述导电底板层之上的电容器电介质层，置于所述电容器电介质层之上的导电顶板层，以及置于所述导电顶板层之上、具有第二覆盖厚度的第二覆盖层；蚀刻所述第二覆盖层及所述导电顶板层，蚀刻中止在所述电容器电介质层上，以形成为所述第二覆盖层所覆盖的电容器顶板，所述电容器顶板包含在一电容器区域内，所述电容器区域从所述一组顶部下层互连中最靠近的一个偏移至少电容器最近逼近距离；形成具有第三覆盖厚度的第三覆盖层，由此，所述第三覆盖层覆盖所述电容器电介质层的暴露部份，所述导电顶板被顶板覆盖层覆盖，所述顶板覆盖层的顶板覆盖厚度基本等于所述第二及第三覆盖厚度的总和；蚀刻所述第三覆盖层，所述电容器电介质层和所述导电底板层，从而形成覆盖所述电容器区域并在所有侧边延伸通过所述电容器顶板的电容器底板，由此，所述电容器底板的所有边缘从所述电容器顶板的对应边缘横向偏移至少泄露最近逼近距离；沉积一层间电介质层；在所述层间电介质中形成一组通孔，中止于所述第一和第三覆盖层；清除所述电容器底板上方以及所述电容器顶板之外的底板接触区域中的所有所述第三覆盖层，并只清除顶板接触区域中所述电容器顶板之上部分的所述第三覆盖层，从而在所述顶板接触区域中留下剩余厚度的所述第三覆盖层；清除所述底板接触区域中的所述电容器电介质；清除所述顶板接触区域中所有所述剩余厚度的所述第三覆盖层；及在所述顶板接触区域及所述底板接触区域中形成由一组上层互连构成的电容器互连构件。