| 发明名称 | 单端正激电源自驱动复位电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电源领域的单端正激电源自驱动复位电路，包括原边主开关管(Q1)、箝位开关管(Q2)、箝位电容(C1)和P沟道MOS管；箝位开关管(Q2)与P沟道MOS管、箝位电容(C1)逐一串联，组成一个复位电路，该复位电路并联于变压器的副边；箝位开关管(Q2)的导通与原边主开关管(Q1)的导通互为反相；该箝位开关管(Q2)利用变压器副边绕组进行自驱动。本发明解决了变压器磁芯的复位问题，并很好解决了一般自驱动箝位中箝位电容充放电损耗大的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1295854C | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200310101810.8 | 申请日期 | 2003.10.17 |
| 申请人 | 中兴通讯股份有限公司 | 发明人 | 甘旭 |
| 分类号 | H02M3/28(2006.01) | 主分类号 | H02M3/28(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种单端正激电源自驱动复位电路，包括原边主开关管(Q1)，其特征在于，还包括箝位开关管(Q2)、变压器(T)、箝位电容(C1)和P沟道MOS管；所述箝位开关管(Q2)与所述P沟道MOS管、箝位电容(C1)逐一串联，组成一个复位电路，该复位电路并联于变压器的副边；所述箝位开关管(Q2)的导通与所述原边主开关管(Q1)的导通互为反相；所述该箝位开关管(Q2)利用变压器(T)副边绕组进行自驱动。 | ||
| 地址 | 518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部 | ||