| 发明名称 | 可分别对双镶嵌工艺的中介窗与沟槽进行表面处理的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用具有倾斜角度的电浆来分别针对双镶嵌工艺的中介窗的底部与沟槽的表面进行表面处理的方法，其能达到在中介窗与沟槽刻蚀工艺后针对中介窗底部的刻蚀残留物和/或金属表面氧化物进行移除，以及对沟槽表面进行表面处理，来避免可能产生的电性不佳与增加沟槽表面与阻障金属层的附着力之目的，进而解决通常技术里无法针对中介窗与沟槽分别进行表面处理的缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN1295776C | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200310122691.4 | 申请日期 | 2003.12.24 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 郭强 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1.一种可分别对双镶嵌工艺的中介窗与沟槽进行表面处理的方法，其包括有下列步骤：提供一具有集成电路组件的半导体基底，其上依次形成有一金属层与一内金属介电层，而该内金属介电层上已依次形成一中介窗与一沟槽；对该中介窗底部进行一第一次等离子表面处理；以及对该沟槽表面进行一第二次等离子表面处理，且该第二次等离子表面处理时的离子束前进方向与该中介窗底部的法线成一角度。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||