| 发明名称 | 2μm键合单块非平面单纵模激光器 | ||
| 摘要 | 一种利用掺杂晶体和非掺杂晶体扩散键合或者组合放置构成非平面环形腔产生2μm单纵模激光输出的激光器。该激光器的激光介质是可产生2μm激光输出的掺杂晶体(如Tm:YAG、Tm:LuAG、Tm，Ho:YAG、Ho:YAG晶体等)和非掺杂晶体(如非掺杂的YAG晶体)扩散键合或者组合放置构成的单块非平面环形晶体，采用中心波长与掺杂晶体吸收波长一致的半导体激光器为泵浦源，可产生2μm单纵模激光输出。本发明的特点是：采用扩散键合或者组合放置构成的复合晶体为工作物质，采用单块非平面环形腔为激光谐振腔，可产生2μm的单纵模激光输出。 | ||
| 申请公布号 | CN1897370A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200610086630.0 | 申请日期 | 2006.06.23 |
| 申请人 | 北京理工大学 | 发明人 | 高春清;高明伟;林志锋;张秀勇;李家泽;魏光辉 |
| 分类号 | H01S3/06(2006.01);H01S3/083(2006.01);H01S3/16(2006.01);H01S3/10(2006.01);H01S3/0941(2006.01);H01S3/00(2006.01) | 主分类号 | H01S3/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京理工大学专利中心 | 代理人 | 付雷杰 |
| 主权项 | 1.一种实现2μm波段单纵模激光振荡的扩散键合单块非平面环形腔：掺杂激光晶体(1a)，可采用Tm，YAG、Tm:LuAG、Tm，Ho:YAG、Ho:YAG；非掺杂的晶体(1b)，可采用非掺杂YAG晶体；由掺杂激光晶体(1a)和非掺杂的晶体(1b)之间通过扩散键合的方式加工成单块非平面激光晶体(1)；这种结构的谐振腔既利用了单块非平面环形腔单频性能好、单块化、稳定性好的优点，又解决了大块2μm波段激光晶体获得困难和2μm激光晶体产生激光振荡时再吸收损耗问题。 | ||
| 地址 | 100081北京市海淀区中关村南大街5号 | ||