N进制掩膜编程存储器

摘要

本发明提出一种N(＞2)进制掩膜编程存储器(N－MPM)，尤其是三维N(＞2)进制掩膜编程存储器(3－D N－MPM)。N－MPM存储元具有N种可能状态。数字信息按N进制代码来存储。由于每个存储元可以存储＞1位信息，N－MPM比常规的二进制MPM(2－MPM，每个存储元存储1位信息)存储密度大。

主权项

1.一种N(＞2)进制掩膜编程存储器，其特征在于含有：一条低层地址线(30a)；一条位于该低层地址线上方的高层地址线(20b)；一个位于该高低层地址线交叉处并与该高低层地址线耦合的存储元(1ba)，所述存储元对该高低层地址线选择性地提供似二极管电连接，并具有至少N种可能状态(5ba、5bb...)。