| 发明名称 | 制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法 | ||
| 摘要 | 一种制作半导体元件的方法，包括于一半导体基底上形成栅极，且该栅极与该半导体基底之间为一栅极氧化层；于该栅极上以及该半导体基底上沉积氧化硅衬垫层；于该氧化硅衬垫层上沉积氮化硅层；以及利用溴化氢/氯气等离子体，各向异性干蚀刻该氮化硅层，直到暴露出该氧化硅衬垫层，以于该栅极的侧壁上形成侧壁子。 | ||
| 申请公布号 | CN1897229A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200510083340.6 | 申请日期 | 2005.07.12 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡彰祜 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种制作半导体元件的方法，包括：于一半导体基底上形成一栅极，且该栅极与该半导体基底之间为一栅极氧化层；于该栅极上以及该半导体基底上沉积一氧化硅衬垫层；于该氧化硅衬垫层上沉积一氮化硅层；以及利用溴化氢/氯气等离子体，各向异性干蚀刻该氮化硅层，直到暴露出该氧化硅衬垫层，以于该栅极的侧壁上形成侧壁子。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||