| 发明名称 | 2.5维光子晶体面发射激光器 | ||
| 摘要 | 一种2.5维光子晶体面发射激光器，包括：一晶片；一第一DBR层，该DBR层制作在晶片上；一下包层，下包层制作在第一DBR层上；一有源层，该有源层制作在下包层上，该有源层上通过刻蚀工艺形成周期性的光子晶体结构；一上包层，该上包层制作在有源层上；一p<SUP>+</SUP>型包层，该p<SUP>+</SUP>型包层制作在上包层上；一第二DBR层，该第二DBR层制作在p<SUP>+</SUP>型包层上；一上电极，该上电极制作在第二DBR层上，该上电极上有一出光孔；一下电极，该下电极制作在晶片的底面上，并覆盖晶片的底面。 | ||
| 申请公布号 | CN1897375A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200510084050.3 | 申请日期 | 2005.07.15 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈弘达;孙增辉 |
| 分类号 | H01S5/18(2006.01);H01S5/323(2006.01) | 主分类号 | H01S5/18(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种2.5维光子晶体面发射激光器，其特征在于，包括：一晶片；一第一DBR层，该DBR层制作在晶片上；一下包层，下包层制作在第一DBR层上；一有源层，该有源层制作在下包层上，该有源层上通过刻蚀工艺形成周期性的光子晶体结构；一上包层，该上包层制作在有源层上；一p+型包层，该p+型包层制作在上包层上；一第二DBR层，该第二DBR层制作在p+型包层上；一上电极，该上电极制作在第二DBR层上，该上电极上有一出光孔；一下电极，该下电极制作在晶片的底面上，并覆盖晶片的底面。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||