| 发明名称 | 三栅极器件及其加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括形成在衬底上的半导体主体，其具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上以及半导体主体的横向相对的侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体的顶表面上的栅极电介质上，并与半导体主体的横向相对的侧壁上的栅极电介质相邻形成栅极电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1897232A | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200610091136.3 | 申请日期 | 2003.08.22 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 罗伯特·周;布赖恩·多伊尔;杰克·卡瓦列罗斯;道格拉斯·巴拉格;达塔·休曼 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种形成晶体管的方法，包括：在衬底上形成碳纳米管主体，所述碳纳米管主体具有顶表面和横向相对的侧壁；在所述碳纳米管主体的所述顶表面上，并与所述碳纳米管主体的所述侧壁相邻形成栅极电介质层；以及在所述碳纳米管主体的所述顶表面上的所述栅极电介质层上，并与所述碳纳米管主体的所述横向相对的侧壁上的所述栅极电介质层相邻形成栅极电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||