发明名称 |
显示装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种显示装置,目的在于防止在把铝系导电层用做与低温多晶硅接触的源极·漏极电极时的加热工序中铝元素向多晶硅层的扩散,并避免显示不良的发生。在本发明的显示装置中,把铝系导电层用做源极·漏极电极,在该铝系导电层和多晶硅层之间设置钼或钼合金层的阻挡层。在构成阻挡层的钼或钼合金层的表面上,设置在氮气氛下进行高速热处理(高速热退火)所形成的氮氧化钼膜。 |
申请公布号 |
CN1295549C |
申请公布日期 |
2007.01.17 |
申请号 |
CN200410000160.2 |
申请日期 |
2004.01.08 |
申请人 |
株式会社日立显示器 |
发明人 |
原野雄一;后藤顺;金子寿辉;山本昌直 |
分类号 |
G02F1/133(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/133(2006.01) |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
季向冈 |
主权项 |
1.一种具有薄膜晶体管基片的显示装置,该薄膜晶体管基片至少包括:在表面上具有底层的绝缘基片;在上述底层上形成的多晶硅层;中间间隔着覆盖上述多晶硅层的第1绝缘层而形成的栅极电极;覆盖上述栅极电极的第2绝缘层;形成在上述第2绝缘层上,贯通上述第2绝缘层和上述第1绝缘层,与上述多晶硅层接触的一对源极·漏极电极;以及覆盖上述源极·漏极电极的第3绝缘层,其特征在于:上述源极·漏极电极具有:顶盖层,形成在由铝或铝合金构成的导电层的上层,与上述第3绝缘层接触,并由钼或钼合金构成;以及阻挡层,形成在上述导电层的下层,与上述多晶硅层接触,并由钼或钼合金构成,而且,在上述阻挡层的与上述导电层接触的表面上,还具有氮氧化钼膜。 |
地址 |
日本千叶县 |