发明名称 显示装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种显示装置,目的在于防止在把铝系导电层用做与低温多晶硅接触的源极·漏极电极时的加热工序中铝元素向多晶硅层的扩散,并避免显示不良的发生。在本发明的显示装置中,把铝系导电层用做源极·漏极电极,在该铝系导电层和多晶硅层之间设置钼或钼合金层的阻挡层。在构成阻挡层的钼或钼合金层的表面上,设置在氮气氛下进行高速热处理(高速热退火)所形成的氮氧化钼膜。
申请公布号 CN1295549C 申请公布日期 2007.01.17
申请号 CN200410000160.2 申请日期 2004.01.08
申请人 株式会社日立显示器 发明人 原野雄一;后藤顺;金子寿辉;山本昌直
分类号 G02F1/133(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 G02F1/133(2006.01)
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 季向冈
主权项 1.一种具有薄膜晶体管基片的显示装置,该薄膜晶体管基片至少包括:在表面上具有底层的绝缘基片;在上述底层上形成的多晶硅层;中间间隔着覆盖上述多晶硅层的第1绝缘层而形成的栅极电极;覆盖上述栅极电极的第2绝缘层;形成在上述第2绝缘层上,贯通上述第2绝缘层和上述第1绝缘层,与上述多晶硅层接触的一对源极·漏极电极;以及覆盖上述源极·漏极电极的第3绝缘层,其特征在于:上述源极·漏极电极具有:顶盖层,形成在由铝或铝合金构成的导电层的上层,与上述第3绝缘层接触,并由钼或钼合金构成;以及阻挡层,形成在上述导电层的下层,与上述多晶硅层接触,并由钼或钼合金构成,而且,在上述阻挡层的与上述导电层接触的表面上,还具有氮氧化钼膜。
地址 日本千叶县