MOS记忆电晶体及其制造方法

摘要

一EEPROM记忆电晶体具有一浮动闸极。该浮动闸极系使用一BiCMOS制程所形成及具有一邻近一穿隧二极体窗口之第一沟道(sinker)掺杂物区域及一邻近一耦合电容器区域之第二沟道掺杂物区域。一任选第三沟道区域可以邻近EEPROM记忆电晶体之一源极接面来形成。并且，一浅沟槽隔离(STI)区域可以形成于第一与第二沟道掺杂物区域间。