| 摘要 |
本发明之半导体装置及其制造方法，系于基板200上形成：层间绝缘膜203；第1硬掩膜204，其系由保护该层间绝缘膜之绝缘性材料所组成；及第2硬掩膜205。将第2硬掩膜205开口，以第2硬掩膜205作为掩膜，于层间绝缘膜203形成应埋入埋入布线之凹沟207。形成扩散防止膜208B，其系防止埋入布线之材料209对层间绝缘膜203扩散。第2掩膜205与扩散防止膜208B系相同材料，由组成中包含金属元素之导电性材料所组成。沉积成为埋入布线材料之导电性金属209。由导电性金属209之表面侧进行研磨至第1硬掩膜204露出之层。 |
