半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包含：一基底；第一蚀刻停止层于上述基底上；一介电层于上述第一蚀刻停止层上；一开口穿透上述介电层与上述第一蚀刻停止层，而暴露部分上述基底；以及一扩散抵抗层至少于上述开口的侧壁上，以阻挡在至少上述第一蚀刻停止层中的污染性分子的扩散，其中上述扩散抵抗层的密度分别大于上述蚀刻停止层与上述介电层。