半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件，包括闸极结构、源极区、汲极区与一对介电阻障层。闸极结构设置于基底上。源极区与汲极区分别设置于闸极结构两侧之基底中，其中在闸极结构下方、且位于在源极区与汲极区之间有通道区。一对介电阻障层分别设置于闸极结构下方之基底中，且位于源极区与汲极区之间。介电阻挡层可以减少奈米级元件的汲极引发阻障降低效应。