发明名称 藉由改变垂直掺质分布以减少矽化物不均匀度之技术
摘要 藉由修改深汲极和源极区中的垂直掺质浓度,可控制金属矽化物区形成期间的反应行为。为此目的,在金属矽化物界面的目标深度附近形成增加的掺质浓度,藉此降低反应速度,并从而改善所得之金属矽化物界面的均匀度。
申请公布号 TW200703476 申请公布日期 2007.01.16
申请号 TW095118981 申请日期 2006.05.29
申请人 高级微装置公司 发明人 温贝利特 法兰克;布朗 大卫;派丝 派瑞克
分类号 H01L21/265(2006.01) 主分类号 H01L21/265(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国