| 发明名称 |
超薄本体SCHOTTKY接触之金氧半场效应电晶体ULTRATHIN-BODY SCHOTTKY CONTACT MOSFET |
| 摘要 |
本发明揭示一种超薄绝缘体上矽(SOI)金氧半场效应(MOSFET)元件结构及其制造方法。该元件具有以矽化物制成之一终端，该终端与与通道形成了具有通道之萧特基接触(Schottky contact)。复数个杂质在矽化物／通道之界面处被隔开，且被隔开之该等杂质决定了Schottky接触之电阻。如此之杂质分隔的达成系藉由所谓的矽化诱发杂质分隔制程。矽取代杂质适用于达成如此之分隔。 |
| 申请公布号 |
TW200703647 |
申请公布日期 |
2007.01.16 |
| 申请号 |
TW095123430 |
申请日期 |
2006.06.28 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
柏伊德黛安C BOYD, DIANE C.;伊昂麦基;凯济司基贾古泰德斯;夏海地吉哈文G SHAHIDI, GHAVAM G. |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
