沟槽型金氧半导体场效电晶体及其制造方法

摘要

本发明之沟槽型金氧半导体场效电晶体系于P型半导体之基板(1)、P型半导体之磊晶层(2)、N型半导体之本体部(3)及P型半导体之源极扩散部(7)以上述顺序邻接而形成之半导体基板上设有沟槽部(16)者，并于沟槽部(16)之底面及侧壁面具备含有P型半导体之SiGe层之通道层(4)，故而于通道层(4)中之载子之移动容易，可降低沟槽型金氧半导体场效电晶体之接通电阻。藉此，可实现不降低崩溃电压，而可降低接通电阻之沟槽型金氧半导体场效电晶体。