高密度沟槽金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)中的闸极接触与导路

摘要

一种沟槽金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)单元，它包含一个被一源极区域围绕的沟槽闸极，而此源极区域被安置在基底底部表面上的汲极区域之上的基极区域包围着。该MOSFET单元还包含一个埋设的沟槽多晶矽闸极导路，它电接触到该沟槽MOSFET的沟槽闸极。用作闸极导路的该埋设沟槽多晶矽闸极导路，以增加闸极传输面积并增加到闸极接触金属的接触面积以降低闸极电阻。