垂直碳奈米管电晶体整合

摘要

本发明提供一种混合半导体结构，其包括一水平半导体器件及一垂直碳奈米管电晶体，其中该垂直碳奈米管电晶体及该水平半导体器件具有至少一个共享节点。该至少一个共享节点可包括，举例而言，FET之汲极、源极或闸电极、或者双极电晶体之发射极、汲电极或基极。亦提供一种制成在垂直碳奈米管电晶体与水平半导体器件之间具有至少一个共享节点之本发明混合半导体结构之方法。