| 摘要 |
本发明系提供一种具有雷射图案化金属闸之金属氧化物半导体电晶体及其制造方法。该制造方法包含在一介电薄膜上形成一含金属的材料之一层。该介电薄膜系形成在一包含一无机半导体之电气功能性基板上。该制造方法接着自该含金属的材料层上雷射图案化一金属闸，并且在位置相邻该金属闸的该无机半导体处形成源极及汲极端子。该电晶体包含一电气功能性基板、一形成在该电气功能性基板之至少部份上之介电薄膜、一形成在该介电薄膜上之雷射图案化金属闸以及包含相邻该金属闸之一掺杂无机半导体层的源极和汲极端子。本发明所提供之金属氧化物半导体薄膜电晶体具有快速、有效率之电性特性之优势，及／或藉由减少一道或多道传统的光微影之步骤，以降低成本。 |
