具有凹槽结构之单元电晶体之半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供具有双闸周边电晶体之半导体结构，包括具有表面通道之nMOSFET及pMOSFET，以及具有凹槽通道结构之单元电晶体如nMOSFET。单元电晶体之闸极为n型多晶矽层，具有适当且恒定之掺杂浓度。