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经营范围
发明名称
记忆装置和其制造方法
摘要
能传送并且接收资料而不需接触之半导体装置在某程度上是逐渐盛行的,如铁路票卡,电子钱卡片,等等;不过,提供廉价的半导体装置以更进一步地普及此技术是非常重要的。根据上述目前的条件,本发明之半导体装置包括简单结构之记忆体提供一种廉价的半导体装置和其制造方法。在记忆体内的记忆单元包含具有有机化合物之层体,以及在记忆单元部分的薄膜电晶体(TFT)之源极电极或汲极电极,其作为一导电层,形成记忆单元的位元线。
申请公布号
TW200703569
申请公布日期
2007.01.16
申请号
TW095110562
申请日期
2006.03.27
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
浅见良信;高野圭惠;仓真之;野村亮二;山崎舜平
分类号
H01L21/8239(2006.01)
主分类号
H01L21/8239(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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