高线性度及高功率CMOS结构及其制造方法

摘要

一种高线性度及高功率CMOS结构及其制造方法，系针对一CMOS元件之结构，尤指场平板技术应用在CMOS元件上，其中该场平板成长在CMOS元件之介电层上，其位置在闸／汲极上方。提供电场能大大地改善CMOS元件射频时的线性度及输出功率特性。