用于同步整流之具有第二多晶矽及内多晶矽介电层的改良式金氧半场效电晶体

摘要

本发明系揭露一种新的沟渠式垂直半导体功率元件，其包括一电容形成于一导电层间，且此导电层覆盖于一位在一沟渠式闸极上的内介电层。沟渠式垂直半导体功率元件是一沟渠式MOSFET功率元件，沟渠式闸极系一沟渠式多晶矽闸极，导电层系一第二多晶矽层覆盖在一位在此沟渠式闸极上的内多晶介电层上。此导电层更与垂直半导体功率元件之一源极连接。