可变电容结构及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种具有高品质因数以及较佳线性度之可变电容结构及其制造方法。该方法于系于形成一闸极结构以作为可变电容结构之第一电极后，进行一第二电极之离子布植前，多进行一道离子布植，以形成一高掺杂区域。换言之，该可变电容结构于第二电极与基底间具有一与第二电极同一导电型之高掺杂区域。此种具有额外高掺杂离子布植区之可变电容结构，不但具有较高之品质因数、较佳之线性度，其调谐比值之表现亦佳。