绝缘层上覆晶之动态随机存取记忆体

摘要

一种绝缘层上覆晶(SOI)动态随机存取记忆体，包括一基底、基底上之绝缘层，以及绝缘层上完全空乏的通过电晶体及部分空乏的储存电晶体。其中，通过电晶体及储存电晶体二者皆为金氧半导体电晶体，储存电晶体之源／汲极区以外的半导体部分为一浮置体，且通过电晶体的一源／汲极区与储存电晶体的一源／汲极区耦接。