| 摘要 |
本发明提供光发射装置及制造以一小于360 nm之波长发射且壁式插座效率至少为4％之光发射装置的方法。壁式插座效率可为至少5％或至少6％。亦提供光发射装置及制造以小于345 nm之波长发射且壁式插座效率至少为2％之光发射装置的方法。提供光发射装置及制造以小于330 nm之波长发射且壁式插座效率至少为0.4％之光发射装置的方法。亦提供光发射装置及制造在一小于大约0.35 μA／μm2之电流密度下，具有一不大于360 nm之峰值输出波长及一至少5 mW之输出功率、具有一345 nm或更少之峰值输出波长及一至少3 mW之输出功率及／或一330 nm或更少之峰值输出波长及一至少0.3 mW之输出功率的光发射装置的方法。该等半导体光发射装置可具有一至少100小时、至少500小时或至少1000小时之直流寿命。 |
