发明名称 |
钌层沉积设备与方法 |
摘要 |
本发明之实施例提供一种由含四氧化钌气体形成含钌层于基板表面上之设备与方法。一般来说,此方法包含暴露基板表面至四氧化钌蒸气中,以形成催化层于基板表面上,且随后利用至少一种沈积制程填充基板表面上之元件结构。在一个实施例中,藉由在外部容器中产生四氧化钌,并输送该产生的四氧化钌气体至位于制程腔体中且温度受控制的基板表面上,以形成含钌层在基板表面上。在另一个实施例中,使用含四氧化钌溶剂亦可在基板表面上形成含钌层。在另一个实施例中,溶剂由含四氧化钌之溶剂混合物中分离,且留下来的四氧化钌系用以形成含钌层于基板表面上。 |
申请公布号 |
TW200702474 |
申请公布日期 |
2007.01.16 |
申请号 |
TW095103189 |
申请日期 |
2006.01.26 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
韦德曼堤摩西W WEIDMAN, TIMOTHY W. |
分类号 |
C23C16/06(2006.01);C23C16/46(2006.01);C23C16/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
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地址 |
美国 |