制造在电特性上具较少变异的半导体元件之方法及系统

摘要

一种制造半导体元件之方法，该半导体元件具有一闸极以及形成在半导体基板中，在闸极侧边上的一对扩散层，此方法包括在半导体基板上形成一绝缘膜及一闸极，获得形成于该半导体基板之一表面中的一受影响层的厚度，根据预定的注入参数，藉由将杂质元素注入该半导体基板中该闸极侧边的区域，以形成一对扩散层，根据预定的热处理参数，进行活化热处理；以及在该获得步骤及该扩散层形成步骤之间，提供一参数衍生步骤，此参数衍生步骤回应该受影响层之所获得厚度，衍生该注入参数或该热处理参数，以致于该扩散层系设定至预定的薄膜电阻。