记忆体结构及其程式化方法

摘要

本发明揭示一种记忆体及一种用于程式化记忆体装置之方法。该方法包含选择(32)一待程式化之单元，其中该单元耦接至一位元线；施加(34)一第一程式化脉冲，其中该第一程式化脉冲包含向该位元线施加一第一电压；继施加该第一程式化脉冲之后检验(36)该单元是否被程式化；及若该单元于施加该第一程式化脉冲之后未程式化，则继施加该第一程式化脉冲之后向该位元线施加(38)一第二程式化脉冲，其中该第二程式化脉冲包含向该位元线施加一第二电压，其中该第二电压与该第一电压不同。