相变化记忆元件及其形成方法

摘要

本发明提供一种可降低相变化体积与较低驱动电流的记忆元件及其制法。该记忆元件的形成方法包括，形成一底部绝缘层，包括一下电极接点；在该下电极接点上形成一下电极；在该下电极上形成一抗反射层；图案化及蚀刻该抗反射层及该下电极，形成一具有侧边之下电极；以及在该抗反射层上形成一相变化材料层，其中该相变化材料层与该下电极侧边相接触。该记忆元件的形成方法更包括形成一上电极于该相变化材料层上，以及形成一上电极接点于该上电极上。