| 摘要 |
本发明揭露一种程式化电阻式记忆体装置(130、230)的方法，该电阻式记忆体装置(130、230)包括第一电极(132、232)、第二电极(138、236)、以及在第一与第二电极(132、138或232、236)间的主动层(active layer)(136、234)。在该程式化方法中，施加横跨第一与第二电极(132、138或232、236)的电位，使得电荷载子进入主动层(136、234)并被在其中的陷阱持住。在抹除记忆体装置(130、230)时，施加横跨第一与第二电极(132、138或232、236)的电位，使得电荷载子从主动层(136、234)移动出来。 |
