非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，其至少是由基底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一闸极结构、第二闸极结构、第一浅掺杂区与第二浅掺杂区所构成。第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区是设置于基底中，且第二掺杂区是位于第一掺杂区与该第三掺杂区之间。第一闸极结构设置于第一掺杂区与第二掺杂区间之基底上，第二闸极结构则设置于第二掺杂区与第三掺杂区间之基底上。第一浅掺杂区是位于第一闸极结构下方邻接第一掺杂区之基底中，第二浅掺杂区是位于第二闸极结构下方邻接第三掺杂区之基底中。