含有具伸乙二羰基结构之聚合物的微影蚀刻用抗反射膜形成组成物

摘要

[课题]本发明系提供于制造半导体装置之微影蚀刻步骤中所使用，显示优良之抗反射效果，且不会引起与光阻的居间混合，具有比光阻更大之蚀刻速度的抗反射膜、及形成该抗反射膜之组成物。[解决手段]含有具伸乙二羰基结构之聚合物及溶剂之微影蚀刻用抗反射膜形成组成物，由该组成物所形成之抗反射膜，及使用该组成物之光阻图型的形成方法。