发明名称 形成光阻下层膜用材料及图型形成方法
摘要 本发明系关于一种含有具有式(1)所示双酚基的化合物之形成光阻下层膜用材料。(R1、R2表示氢原子、烷基、芳基、或烯基;R3、R4表示氢原子、烷基、烯基、芳基、缩醛基、醯基、或环氧丙基,Z表示含有芳香族骨架的2价烃基,亦可为缩合多环式烃基,又该烃基中可含有杂原子)。本发明的形成光阻下层膜形成用材料为,若必要藉由组合具有反射防止效果的中间层,具有200nm以上膜厚下可尽可能充分发挥反射防止效果的吸光系数,使用于基板加工的CF4/CHF3系气体及Cl2/BCl3系气体蚀刻之速度亦比一般的间甲酚漆用酚醛树脂为强固,具有较高蚀刻耐性。又,形成图型后的光阻形状亦良好。
申请公布号 TW200702918 申请公布日期 2007.01.16
申请号 TW095108262 申请日期 2006.03.10
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 山润
分类号 G03F7/038(2006.01);G03F7/075(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/42(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/038(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本