使用无缺陷导体填入深且宽的开口

摘要

依次藉由两个电镀或电沈积制程来填入积体电路金属化或封装通道中相对较大的开口或图案。第一电沈积制程共形地填塞大的高纵横比图案以界定内部空腔。第二电沈积制程使用不同溶液而自底向上填入第一电沈积制程所留下的内部空腔。通常藉由在第一电沈积期间使用平整剂来诱发共形性，而加速剂以及抑制剂可用以在第二电沈积期间促进自底向上填入，然而任一制程均可使用三种添加剂中的任一种。